据ChainCatcher援引业内人士报道称，中国最大的DRAM制造商长鑫存储（CXMT）近期已为其上海新工厂正式启动设备采购招标，并进一步明确了多座新厂的扩展计划。若投资按计划顺利推进，未来长鑫存储的月产能将达到60万片，将快速缩小与三星电子、SK海力士等全球头部DRAM大厂的产能差距。

长鑫存储目前已在合肥二期与北京一期晶圆厂量产DRAM，总产能估计为每月约20万至25万片。据业界预测，到2026年底，这一数字有望突破每月30万片。

根据与合作伙伴讨论的内容，长鑫存储计划于2026年第四季度启用位于上海的新晶圆厂，相关设备招标已经启动。半导体设备业内人士指出，长鑫存储计划分两个阶段扩充上海新厂，从近期招标规模来看，仅上海该厂即可确保远超每月10万片以上的生产能力。

除上海厂区外，长鑫存储的扩产时间表已排至2028年：

2027年上半年：启用合肥新厂

2027年下半年：最快启用北京新厂

2028年上半年：启用合肥扩建厂区

设备业者分析，长鑫存储强烈的扩产意愿主要来自中国当地政府庞大的补助政策以及DRAM需求的急速暴增。若所有设备投资计划顺利执行，长鑫存储从2026年至2028年，每年皆能稳定获得至少每月7万至8万片的新增产能。

从长期来看，长鑫存储的总生产能力预计将扩大至每月60万片以上。这一规模已相当於目前DRAM市场龙头业者的产能水准。据估算，三星电子与SK海力士的DRAM总产能分别约为每月70万片与60万片。

摩根士丹利在近期报告中也给出了类似预判：长鑫DRAM月产能将由2025年的18万片，增加至2026年的30万片，到2028年进一步提升至50万片，2031年则可能达到80万片。若扩产顺利，长鑫到2030年的全球DRAM位元出货市占率可能接近15%，甚至有机会在2028年前後以产能规模超越美光，成为全球第三大DRAM供应商。

值得注意的是，产能规模的快速扩张并不等同于实际产出和市场占有率的同步提升。韩国央行在9月初的一份报告中指出，受良率与技术限制，长鑫存储虽然约占全球DRAM芯片名义产能的15%，但其全球出货量占比仅约8%。这意味着，韩国与中国在实际产量上的差距，可能比表面产能数据所显示的要大。

此外，韩国存储芯片大厂也在加速扩产。韩国央行预计，计划於2028年前投产的新晶圆厂，将使韩国每月晶圆产能增加约60万片，韩国的领先优势预计将进一步扩大。

随着长鑫存储持续大举扩产，全球DRAM市场的竞争格局预计将迎来重大变化。2026至2027年，AI需求强劲、先进存储器供给吃紧，仍可能吸收中国新增产能；但到了2028年以後，随着中国扩产、全球既有大厂扩产陆续落地，以及需求周期可能出现变化，全球存储器产业可能迎来供需结构的重要考验。