中国上海，2019年12月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。
MOSFET产品图
新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗；XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。
应用：
・汽车设备
电源装置（DC-DC转换器）和LED头灯等（电机驱动、开关稳压器和负载开关）
特性：
・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance（WF）封装
・通过AEC-Q101认证
・低导通电阻：
RDS(ON)=4.1mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH4R10ANB）
RDS(ON)=6.3mΩ（最大值）@VGS=10V（XPH6R30ANB）
・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance（WF）封装
主要规格：
（除非另有说明，@Ta=25°C）
|
器件型号
|
XPH4R10ANB
|
XPH6R30ANB
|
|
极性
|
N沟道
|
|
绝对最大额定值
|
漏源极电压
VDSS
（V）
|
100
|
|
漏极电流
（DC）
ID
（A）
|
70
|
45
|
|
漏极电流
（脉冲）
IDP
（A）
|
210
|
135
|
|
沟道温度
Tch
（℃）
|
175
|
|
漏源极导通电阻
RDS(ON)最大值
（mΩ）
|
@VGS=6V
|
6.2
|
9.5
|
|
@VGS=10V
|
4.1
|
6.3
|
|
沟道至外壳热阻
Zth(ch-c)
最大值
@Tc=25℃
（℃/W）
|
0.88
|
1.13
|
|
封装
|
SOP Advance（WF）
|
|
产品系列
|
U-MOSVIII-H
|
U-MOSVIII-H
|
注释：
[1] 截至2019年12月25日
[2] 在同样规格的产品中，截至2019年12月25日。东芝调查。
