集最新一代 GaN 技术、LDO 稳压驱动和引脚控制关断功能于一体

意法半导体进一步扩充 MasterGaN 集成晶体管与驱动器产品阵容，推出全新 MasterGaN7 器件。该器件内置额定最大电流为 6A 的 650V 增强型 GaN 晶体管。新品可帮助设计人员提升电源适配器、充电器、工业照明设备和太阳能微型逆变器等应用的能效与功率密度。

MasterGaN7 将两个 650V GaN 晶体管以半桥方式连接，并与高压高频栅极驱动器集成于 QFN 封装中；其引脚排列和封装尺寸与其他 MasterGaN 器件兼容。凭借最新一代 GaN 技术，MasterGaN7 可实现更快的开关速度和更高的能效；同时新增低压差（LDO）稳压器，以稳定栅极驱动电压，确保出色的开关性能。新器件还支持引脚控制关断模式，并可实现超快速唤醒，帮助设计人员将空载功耗降至更低。

全新 MasterGaN7 器件兼具 45ns 传播延迟、超快速唤醒和极短最小导通时间，开关频率最高可达 2MHz。完成电路设计只需搭配少量小型外部磁性元件和无源元件，有助于缩小电路板占用空间、降低物料清单（BOM）成本并提升功率密度。此外，器件还集成了为高侧驱动器供电的自举二极管。

全系列 MasterGaN 器件支持多种电源拓扑，包括有源钳位反激式转换器、非对称半桥转换器、反相降压转换器、谐振 LLC 转换器、功率因数校正（PFC）转换器以及直流转交流逆变器。器件集成度高，并内置多项保护功能，包括用于防止桥臂直通的互锁保护、欠压锁定（UVLO）和过热关断保护，可帮助缩小系统尺寸、降低物料清单（BOM）成本并简化电路布局。

MasterGaN7 的工作温度范围为 -40°C 至 125°C，现已量产，采用 9mm × 9mm QFN 封装。