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英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
文章来源:永阜康科技 更新时间:2025/4/23 11:08:00

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出CoolGaN™ G5中压晶体管,它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓(GaN)功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能,进一步提升整体系统效率。此外,该集成解决方案还简化了功率级设计,降低了用料成本。


集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管

在硬开关应用中,由于GaN器件的有效体二极管电压(VSD )较大,基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长,那么这种情况就会更加严重,导致效率低于目标值。目前功率器件设计工程师通常需要将外部肖特基二极管与GaN晶体管并联,或者通过控制器缩短死区时间。然而,无论哪种方法都需耗费额外的精力、时间和成本。而英飞凌新推出的 CoolGaN™ G5晶体管是一款集成了肖特基二极管的GaN晶体管,能显著缓解此类问题,适用于服务器和电信中间总线转换器IBC)、DC-DC转换器、USB-C电池充电器的同步整流器、高功率电源(PSU) 和电机驱动等应用场景。

英飞凌科技中压GaN产品线副总裁Antoine Jalabert表示:“随着GaN技术在功率设计中的应用日益广泛,英飞凌意识到需要不断改进和提升这项技术,才能满足客户不断变化的需求。此次推出的集成了肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管体现了英飞凌致力于加快以客户为中心的创新步伐,进一步推动宽禁带半导体材料的发展。”

由于缺乏体二极管,GaN晶体管的反向传导电压(VRC)取决于阈值电压(VTH)和关断态下的栅极偏置偏压(VGS)。此外,GaN晶体管的VTH 通常高于硅二极管的导通电压,这就导致了反向传导工作(也称为第三象限)期间的劣势。因此,采用这种新型CoolGaN™ 晶体管后,反向传导损耗降低,能与更多高边栅极驱动器兼容,且由于死区时间放宽,控制器的兼容性变得更广,显著简化设计。

首款集成肖特基二极管的GaN晶体管为采用3 x 5 mm PQFN 封装的100 V 1.5 mΩ晶体管。

 
 
 
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