PSV-RDAD-65USB参考设计将Pulsiv OSMIUM技术与行业标准的准谐振反激变换器和高度优化、超紧凑的磁性组件相结合。它能大幅降低工作温度、尽量减小损耗并缩小尺寸，引领了一系列突破功率转换现有边界的设计，旨在打造一个可持续的USB-C标准平台。

Pulsiv的首席产品官Tim Moore博士一直负责该设计的开发，他表示：“我们的宗旨一直是开发‘消耗更少，能力更强’的解决方案，这款设计就展示了Pulsiv OSMIUM技术如何既实现快速充电又不造成复杂的高温管理问题。人们对使用更高功率更快地为无线产品充电的需求正在迅速增长，从手机到电动工具等各个领域都受到了影响。这意味着要在小体积中实现更大的功率，而在开发对热量敏感的壁挂式/台式解决方案时，这一点尤为重要。由于降低了30%的组件温度、实现无浪涌电流和高效率，我们能够让设计变得更安全、更小巧、更可靠。”

规格一览表

· 输入电压范围： 90 – 265V交流电(不降低额定输入电源)

· 输出电压： 5 – 20V直流电，支持PD3.0、QC4.0、BC1.2和PPS(快速充电)

· 输出功率： 最高65W

· 转换器温度： 30.3°C(在环境温度下)

· 工作频率： 125kHz

· 最高效率： 96%

· 平均效率： 95%

· 半有源桥： 内含

· 线路电流： 最高0.5A

· 浪涌电流： 已消除

· 优化的GaN： 有

· 直流转换器： 准谐振反激变换器

让超低温运行和快速充电更上一层

Pulsiv OSMIUM参考设计在热性能方面展现出了显著提升，相较于其他设计，关键组件温度降低了30%以上。在满载情况下，尽管环境温度为26.1°C，反激式转换器在230V直流电下的温度会低到令人印象深刻的33.9°C，在265V下温度会低到30.3°C。这一非凡成就极有可能树立新的标杆，并允许在空间有限的环境中和/或对热敏感的应用中(如带有USB-C接口的墙壁插座)实现65W快速充电。

(Pulsiv PSV-EBAD-65USB评估板：Vin = 230V直流电;Vout = 20V;Iout = 3.25A;环境温度为26.1°C)

使用半有源桥优化效率和空间

Pulsiv OSMIUM技术通过感应交流电线路电压和频率来调整电容器充电时间，从而让电路在交流零电压交越时不消耗线路电流。这能够实现简单的半有源桥，以提高效率，特别是在低压条件下。它对位于下半部分交流转直流桥中的MOSFET进行精细控制，并与高侧二极管结合使用。此设计中的半有源桥在效率、成本和复杂性之间实现了微妙平衡，支持通用输入，并在115V交流电源下将满载效率提升0.7%。

(Pulsiv独特的半有源桥控制装置)

创新的磁性器件将转换器体积缩小了20%

Pulsiv OSMIUM技术可产生高压直流电(HVDC)输出，该输出的电压介于峰值交流电输入电压和150V之间，能以极大效率驱动准谐振反激变换器。更宽的电压范围显著降低了初级侧电感，从而能够使用Pulsiv与磁性器件专家Frenetic合作开发的EQ20转换器。后者的首席执行官Chema Molina评论道：“我们的磁性器件专家团队已经证明，Pulsiv OSMIUM技术可以最大限度地提高效率，并将反激变换器的尺寸缩小到我们前所未见的水平。这一重要发展将帮助客户提高性能、缩小尺寸、降低设计成本，我们很高兴能参与这一创新解决方案。”

与其他设计中常见的RM8核相比，它能将体积缩小20%，将效率提高50%。

借助GaN优化尽量减少损耗

Innoscience的GaN晶体管降低了RDSon和寄生电容，可减少反激变换器和同步整流器子系统中的损耗并优化成本。Innoscience EMEA总经理Denis Marcon补充道：“我们已经证明，GaN技术非常适合提高效率、减少损耗和优化成本，而Pulsiv OSMIUM技术能显著提高整体性能和减少能源浪费，带来额外的好处。他们的技术是真正的颠覆性技术，我很高兴Pulsiv选择在这款参考设计中采用Innoscience GaN器件。”

设计包和评估板

可从Pulsiv网站免费下载PSV-RDAD-65USB文档包，包括数据表、原理图、材料清单和Altium文件。PSV-EBAD-65USB评估板可实现快速实验室测试，预计于8月下半月交付，现可通过包括全球库存商Digikey在内的特许经销合作伙伴网络进行预订。

(Pulsiv PSV-EBAD-65USB评估板)