输入级一般是由BJT（双极性晶体管，电流控制器件）、JFET（结型场效应晶体管，电压控制器件）或MOSFET（氧化物半导体场效应晶体管）组成的差动放大电路，主要是利用对称特性提高共模抑制比，它的两个输人端构成整个电路的反相输入端和同相输入端；电压放大级的主要作用是提高电压增益，它可由YJ或多级放大电路组成；输出级一般由电压跟随器或互补电压跟随器构成，以降低输出电阻，提高带负载能力；偏置电路是为各级提供合适的工作电流。此外还有一些辅助环节。如电平移动电路，过载保护电路以及高频补偿电路。
运算放大器（Integrated Operational Amplifier）简称集成运放，是一种高电压增益、高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路。
运放内部结构
输入级一般是由BJT（双极性晶体管，电流控制器件）、JFET（结型场效应晶体管，电压控制器件）或MOSFET（氧化物半导体场效应晶体管）组成的差动放大电路，主要是利用对称特性提高共模抑制比，它的两个输人端构成整个电路的反相输入端和同相输入端；电压放大级的主要作用是提高电压增益，它可由YJ或多级放大电路组成；输出级一般由电压跟随器或互补电压跟随器构成，以降低输出电阻，提高带负载能力；偏置电路是为各级提供合适的工作电流。此外还有一些辅助环节。如电平移动电路，过载保护电路以及高频补偿电路。
运放分类
01
按工作原理
① 电压放大型
实现电压放大，输出回路等效成电压控制的电压源。
② 电流放大型
实现电流放大，输出回路等效成电流控制的电流源。
③ 跨导放大型
将输入电压转化成输出电流，输出回路等效成电压控制的电流源。
④ 互阻放大型
将输入电流转化成输出电压，输出回路等效成电流控制的电压源。
02
按性能
① 高阻型
特点是差模输入阻抗非常高，输入偏置电流非常小，一般rid>（109~1012）W，IIB为几到几十PA。适用于测量放大电路、信号发生电路、采样——保持电路。
② 高速型
特点是单位增益带宽、转换速率SR高。适用于A/D、D/A转换器、锁相环电路、视频放大电路。
③ 高JD型
特点是低失调电压、低温漂、低噪声、高增益。适用于微弱信号的精密测量，例如高精仪器。
④ 低功耗型
特点是静态功耗低、工作电压低。适用于便携式仪器、空间技术、工业及军事的遥感遥测领域。
⑤ 通用型
特点是价格低廉，性能指标要求一般都满足。适用于低频信号，简单的信号处理。
运放参数指标
01
直流指标
① 输入失调电压VIO及温漂αVIO
集成运放输出端电压为零时，两个输入端之间所加的补偿电压。内部电路对称性越好，输入失调电压越小，运放的性能更好；αVIO温漂是输入失调电压的变化与温度变化的比值，一般运放温漂在?10~20μV/℃之间，精密运放的温漂小于?1μV/℃。
② 输入偏置电流IIB
当运放的输出直流电压为零时，其两输入端的偏置电流平均值，通常IIB越小，IIO也就越小。与制造工艺有关，双极型晶体管一般为80～500nA，场效应管一般为1nA。
③ 输入失调电流IIO及温漂dVIO
当运放的输出直流电压为零时，其两输入端偏置电流的差值。内部电路对称性越好，输入失调电流越小，双极型晶体管一般为20～200nA，场效应管一般小于1nA；输入失调电流温漂（TCIOS)该参数代表输入失调电流在温度变化时产生的变化量。TCIOS通常以pA/?C为单位表示。
④ 开环差模增益Aod
集成运放无外加反馈时的放大倍数称为开环差模增益，分贝数为20 lg| Aod |一般运放数值在80~120dB。
⑤ 共模抑制比KCMR
运放工作在线性区时，差模增益与共模增益的比值，20 lg KCMR。
⑥ 电源抑制比
运放工作在线性区时运放输入失调电压随电源电压的变化比值。
⑦ ZD共模输入电压UIcmax
正常放大差模信号的情况下允许输入的ZD共模信号，一般定义为当共模抑制比下降6dB?是所对应的共模输入电压作为ZD共模输入电压。
⑧ ZD差模输入电压UIdmax
运放两输入端允许加的ZD输入电压，当运放两输入端允许加的输入电压差超过ZD差模输入电压时，会使内部PN结击穿，造成运放输入级损坏。
02
交流指标?
① 开环带宽fH
开环带宽fH是使直流开环差模增益Aod下降3dB（直流增益的0.707）的信号频率。实际值为GBW=Gain*f。
② 单位增益带宽fc
表示差模电压放大倍数Aod下降到0dB(直流开环差模增益Aod=1)的频率。一般在1MHz左右。
③ 转换速率(又称压摆率)SR
SR是在大信号作用下输出电压在单位时间变化量的ZD值，也表示运算放大器对突变信号的适应能力。要求信号幅值越大、频率越高的情况下，压摆率SR越大。实际值为2*π*f*Vin*Gain。
④ 共模输入阻抗
该参数表示运算放大器工作在线性区时，输入共模电压范围与该范围内偏置电流的变化量之比。低频时，表现为共模电阻，典型值在108欧以上。
⑤ 差模输入阻抗（也称为输入阻抗）rid
该参数表示输入电压的变化量与相应的输入电流变化量之比，电压的变化导致电流的变化。差模输入阻抗越大，信号索取电流越小。
⑥ 输出阻抗
该参数是指运算放大器工作在线性区时，输出端的内部等效小信号阻抗。
⑦ 全功率带宽BW
在额定的负载时，运放的闭环增益为1倍条件下（直流开环差模增益Aod=1），将一个恒幅正弦大信号输入到运放的输入端，使运放的幅度ZD时的频率。全功率带宽=转换速率/2πVop（Vop是运放的峰值输出幅度）。
⑧ 静态功耗
表示无信号条件下运放的耗电程度。当电源电压为?15V时，静态功耗双极型晶体管一般为50～100mW，场效应管一般为1mW。
⑨ 建立时间
在额定的负载时，运放的闭环增益为1倍条件下（直流开环差模增益Aod=1），将一个阶跃大信号输入到运放的输入端，使运放输出由0增加到某一给定值的所需要的时间。
⑩ 输入电压噪声密度（eN)、输入电流噪声密度（iN)
噪声分量。
运放计算思想
虚短与虚断是分析运放的基本点。（引入负反馈）
01
虚短
虚短指在理想情况下，两个输入端的电位相等，就好像两个输入端短接在一起，但事实上并没有短接，称为“虚短”。虚短的必要条件是运放引入深度负反馈。集成运放的线性应用时，可近似地认为uN-uP=0，uN=uP时，即反相与同相输入端之间相当于短路，故称虚假短路，简称“虚短”。
02
虚断
虚断指在理想情况下，流入集成运算放大器输入端电流为零。这是由于理想运算放大器的输入电阻无限大，就好像运放两个输入端之间开路。但事实上并没有开路，称为“虚断”。当两个输入端的输入电流为零，即iN=iP=0时，可认为反相与同相输入端之间相当于断路，称为虚假断路，简称“虚断”。
运放保护措施
集成运放的安全保护有三个方面：电源保护、输入保护和输出保护。
01
电源保护
电源的常见故障是电源极性接反和电压跳变。电源反接保护和电源电压突变保护。
02
输入保护
集成运放的输入差模电压过高或者输入共模电压过高（超出该集成运放的极限参数范围）,集成运放也会损坏。
03
输出保护
集成运放过载或输出端短路时,若没有保护电路,该运放就会损坏。有些集成运放内部设置了限流保护或短路保护 。
运算放大器六条军规
运算放大器作为Z通用的模拟器件，广泛用于信号变换调理、ADC采样前端、电源电路等场合中。虽然运放外围电路简单，不过在使用过程中还是有很多需要注意的地方。
01
注意输入电压是否超限
以ADI器件为例，ADI的数据表中的输入电气特性可以看到在电源电压?15V的条件下，输入电压的范围是?13.5V，如果输入电压超出范围，那么运放就会工作不正常，出现一些意料不到的情况。有一些运放标注的不是输入电压范围，而是共模输入电压范围，如TI的TLC2272在单电源 5V的条件下，共模输入范围是0-3.5V.其实由于运放正常工作时，同相端和反相端输入电压基本是一致的（虚短虚断），所以“输入电压范围”与“共模输入电压范围”都是一样的意思。
02
不要在运放输出直接并接电容
在直流信号放大电路中，有时候为了降低噪声，直接在运放输出并接去耦电容。虽然放大的是直流信号，但是这样做是很不安全的。当有一个阶跃信号输入或者上电瞬间，运放输出电流会比较大，而且电容会改变环路的相位特性，导致电路自激振荡，这是我们不愿意看到的。
正确的去耦电容应该要组成RC电路，就是在运放的输出端先串入一个电阻，然后再并接去耦电容。这样做可以大大削减运放输出瞬间电流，也不会影响环路的相位特性，可以避免振荡。
03
不要在放大电路反馈回路并接电容
同样是一个用于直流信号放大的电路，为了去耦，不小心把电容并接到了反馈回路，反馈信号的相位发生了改变，很容易就会发生振荡。所以，在放大电路中，反馈回路不能加入任何影响信号相位的电路。由此延伸至稳压电源电路，并接在反馈脚的电容是错误的。为了降低纹波，可以把电容与反馈电阻并联，适当增大纹波的负反馈作用，抑制输出纹波。
04
注意运放的输出摆幅
任何运放都不可能是理想运放，输出电压都不可能达到电源电压，一般基于MOS的运放都是轨对轨运放，在空载情况下输出可以达到电源电压，但是输出都会带一定的负载，负载越大，输出降落越多。
05
注意反馈回路的Layout
反馈回路的元器件必须要靠近运放，而且PCB走线要尽量短，同时要尽量避开数字信号、晶振等干扰源。反馈回路的布局布线不合理，则会容易引入噪声，严重会导致自激振荡。
06
要重视电源滤波
运放的电源滤波不容忽视，电源的好坏直接影响输出。特别是对于高速运放，电源纹波对运放输出干扰很大，弄不好就会变成自激振荡。所以Z好的运放滤波是在运放的电源脚旁边加一个0.1uF的去耦电容和一个几十uF的钽电容，或者再串接一个小电感或者磁珠，效果会更好。
