长江存储成立后，中国大陆在这个阶段于半导体的宏观布局重新成形。但是为什么挑由存储器入手？这是个关键选择。尤其是在台湾的 DRAM 产业甫因规模经济不足导致研发无法完全自主而缓缓淡出之际，这样的选择需要一番辩证。进口替代当然是原因之一，但不是全部。

回归基本面来看。半导体之所以为高科技是因为有摩尔定律，容许其不断的制程微缩，而其经济效益也高度依赖摩尔定律。DRAM 在很长的一段时间里是半导体业的驱策技术(driving technology)，也就是说DRAM的制程领导其它的半导体制程前进。半导体的先行者AT&T、Intel都曾投入这产业，日本90年代的半导体霸业、台湾、韩国的半导体产业崛起，都与DRAM息息相关。如果不健忘的话，台湾的DUV、CMP、12寸厂等先进技术都是由DRAM厂率先引入。

在2000年初后，逻辑与NAND的制程进展相继超越DRAM，DRAM失去了其驱策技术的地位。逻辑制程持续往平面微缩的方向前进，能见度到3纳米，还有3、4个世代可行；NAND往3D堆叠走，这个方向能走多远尚未可知，但是短时间内碰不到物理极限，是比较技术面可克服的问题。逻辑的平面制程微缩与NAND的3D堆叠同时是未来半导体业的驱策技术，中国大陆作为后发者选择最近才兴起、后面发展道路长的驱策技术投入，是比较合理的做法。至于DRAM，已于20纳米久滞，虽然仍有机会继续缓慢推进到10纳米，但其制程技术主要是针对DRAM，很难嘉惠于其它产品，战略性比较不足。

所以中国大陆选择3D NAND重新出发，3D的制程技术还有机会应用到其它产品，譬如3D MRAM。至于研发的规模经济，由其所投资相应的生产规模来看，如果有盈余的话，是有机会支撑持续的自主研发的。剩下来的问题是NAND的技术灵不灵？中国大陆NAND的技术授权引入研发已有好几年了，以前的表现颇有波折，就连二维平面NAND的生产也称不上顺利。现在要当成主要的产品并结合3D制程，恐是个有点高风险的选择！