Littelfuse公司作为全球领先的电路保护方案供应商，日前宣布推出其不断扩展的功率半导体产品系列的最新产品——LFUSCD系列碳化硅（SiC ）肖特基二极管。

相比标准的硅双极功率二极管，LFUSCD系列碳化硅肖特基二极管让设计师能够降低开关损耗，在避免热逸散的情况下承受强浪涌电流，并在更高的结温下运行，上述所有因素均可提高系统效率和耐用性。

LFUSCD系列合并后的p-n肖特基（MPS）器件结构可确保提升浪涌能力并降低泄漏电流。 额定电压为650V和1200V，额定电流为4A至30A，适用于广泛市场，包括工业电源、太阳能逆变器、工业驱动器、焊接和等离子切割以及EV/HEV充电站。

LFUSCD 系列碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理，例如： 
• 功率因数校正（PFC）。 
• DC-DC转换器的降压或升压阶段。 
• 逆变器级的续流二极管（开关模式电源、太阳能、UPS、工业驱动器。） 
• 高频输出整流。

“作为不断扩充的功率半导体产品组合的一部分，我们很荣幸推出碳化硅肖特基二极管系列。”功率半导体技术线业务开发经理Kevin Speer博士表示。 “凭借同类最佳的正向压降和存储电容电荷，Littelfuse碳化硅二极管能够让客户优化其设计的效率，同时提高系统的耐用性和可靠性。”

LFUS系列碳化硅肖特基二极管提供下列关键优势：
• 同类最佳的电容存储电荷以及近乎为零的反向恢复电流使这些设备非常适合高频电源开关应用，确保可忽略不计的开关损耗，并降低对相反开关的应力。
• 同类最佳的正向压降可确保低传导损耗。
• 175°C的最高结温可提供更大的设计余量以及更为宽松的热管理要求。
• 合并后的p-n肖特基（MPS）器件结构可增强抗浪涌能力，并提供极低的泄漏电流。