前几天发过一个电源开关控制电路的原理内容,现在以下图的LVDS power control电路进行深入分析学习,在处理电子精密时序问题时可以用得上。
R196与C167组成RC 积分电路,装前端输入的矩形波转变为有上下边治的波形。
取R200,C161,C163为输入变量,Trising ,Tfalling,Vmax作为输出变量。
C163放电阻看输出变量是否有规律
R200 |
C161 |
C163 |
Trising(ms) |
Tfalling(s) |
Vmax(v) |
100k |
1uf |
1k |
3.186 |
0.912 |
12.4 |
100k |
1uf |
2k |
3.151 |
1.13 |
12.4 |
100k |
1uf |
2.7k |
3.131 |
1.3 |
12.4 |
100k |
1uf |
3.9k |
3.12 |
1.53 |
12.4 |
100k |
1uf |
4.7k |
3.156 |
1.66 |
12.4 |
100k |
1uf |
10k |
3.1 |
2.78 |
12.4 |
100k |
1uf |
1m |
3.166 |
8.5 |
12.4 |
100k |
1uf |
nc |
3.18 |
8.52 |
12.4 |
可以看出,只有Tfalling 与MOS后端C163有关,R增大,Tfalling增大
C163放电容看输出变量是否有规律
R200 |
C161 |
C163(uf) |
Trising(ms) |
Tfalling(s) |
Vmax(v) |
100k |
1uf |
0.47 |
3.065 |
8.52 |
12.3 |
100k |
1uf |
1 |
3.178 |
8.5 |
12.3 |
100k |
1uf |
2.2 |
17.72 |
7.66 |
13.1 |
100k |
1uf |
4.7 |
16.57 |
1.95 |
13.2 |
100k |
1uf |
10 |
17 |
1.92 |
13.1 |
可以看出,当电容小的时候,因只对高频有作用,不影响Trising,Tfalling。
当电容大的时候,会加大Surge 电压Vmax ,Trising也会变大,且因其ESR变大,将使Tfalling变小。
C161变化或R200变化看输出变量是否有规律
R200 |
C161 |
C163(Ohm) |
Trising(ms) |
Tfalling(s) |
Vmax(v) |
100k |
1uf |
1k |
13.7 |
1.32 |
13.3 |
100k |
2.2uf |
1k |
13.8 |
1.37 |
13.1 |
100k |
4.7uf |
1k |
14.4 |
1.37 |
13.1 |
100k |
10uf |
1k |
15 |
1.35 |
13.1 |
R200 |
C161 |
C163(Ohm) |
Trising(ms) |
Tfalling(s) |
Vmax(v) |
NC |
1uf |
1k |
17.2 |
1.38 |
13.2 |
200k |
1uf |
1k |
15.3 |
1.36 |
13.1 |
150k |
1uf |
1k |
12.8 |
1.37 |
13.1 |
100k |
1uf |
1k |
13.7 |
1.32 |
13.3 |
75k |
1uf |
1k |
12.6 |
1.36 |
13.1 |
47k |
1uf |
1k |
12.8 |
1.38 |
13.1 |
当C161变化或R200变化时,因为T=2PI*R*C,Trising时间增大,但不明显。在实际应用中需要两个同时变化反复实验,得到一组理想值。
R113功能:当Q114导通时,B极电压恒定0.7V,增加电阻可有效防止控制端由于电压强制拉低导致端口损坏。
Q104:利用三极管导通特性,Q105:场效应管导通特性导通
R111:开关管导通瞬间限流作用
C112:利用电容充放电性能,降低导通瞬间电流功能